Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.

Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами, на один из которых подаётся сильный ток, а на другой подаётся слабый управляющий ток.

Спецификация:

• Наименование прибора: PHD78NQ03LT;
• Тип транзистора: MOSFET;
• Полярность: N;
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 107 W;
• Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 V;
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V;
• Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V;
• Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 75 A;
• Максимальная температура канала (Tj): 175 °C;
• Время нарастания (tr): 46 ns;
• Выходная емкость (Cd): 415 pf;
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009 Ohm;
• Тип корпуса: DPAK.

Подключение: